ANALIZADOR PARA COMPONENTES SEMICONDUCTORES

Características:
Características físicas:
Tamaño IEC de la batería: AAA (LR03, R03, FR03, HR03, KR03, ZR03 ,24A, 24D, 24LF, UM4, Micro, MN2400, MX2400, MV2400)
Colores primarios: Negro
Colores adicionales: Azul
Profundidad del producto: 20 mm
Altura del producto: 70 mm
Anchura del producto: 103 cm
Peso Producto: 98 g
Propiedades eléctricas:
Tensión nominal de la batería: 1.5 V
Pico máximo de corriente de prueba en s-c: 5.5 mA
Máximo pico de tensión de prueba a través de o-s: 5.1 V
Composición química y de materiales:
Composición de la batería: Alcalina
Características funcionales:
Pilas incluidas: No
Prestaciones y especificaciones técnicas:
Especificaciones del diodo:

• Corriente de prueba: 5,0 mA<-li>
• Precisión de tensión: -2% -20 mV a +2% +20 mV<-li>
• Vf para identificación de LED 1,50 V - 4,00 V<-li>
• Umbral de cortocircuito: 10 Ohm<-li> <-ul>
  Especificaciones SCR-triac:
  • Corriente de prueba de puerta: 4,5 mA<-li>
  • Corriente de prueba de carga: 5,0 mA<-li> <-ul>
    Especificaciones del transistor:
    • Rango de ganancia (Hfe): 4 - 65000<-li>
    • Precisión de ganancia: . 3 % . 5 Hfe<-li>
    • Tensión de prueba Vceo: 2.0 V - 3.0 V<-li>
    • Precisión Vbe: -2 % - 0 mV a +2 % +20 mV<-li>
    • VBE para Darlington (derivado): 0.95 V - 1.80 V (0.75 V - 1.80 V)<-li>
    • Umbral de derivación base-emisor 50 kOhm - 70 kOhm<-li>
    • Corriente de prueba del colector del BJT: 2.45 mA - 2.55 mA<-li>
    • Fuga aceptable del BJT: 0.7 mA<-li>
    • MOSFET
      
      • Rango de umbral de puerta: 0.1 V - 5.0 V<-li>
      • Precisión del umbral: -2 % -20 mV a +2 % +20 mV<-li>
      • Corrie