| Atributo | Valor |
|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 214 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 80 V |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 3,2 mΩ |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Modo de Canal | Mejora |
| Categoría | MOSFET de potencia |
| Disipación de Potencia Máxima | 255 W |
| Material del transistor | Si |
| Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 140 ns |
| Altura | 15.1mm |
| Dimensiones | 10.16 x 4.45 x 15.1mm |
| Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 53 ns |
| Serie | TK |
| Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 9000 pF a 40 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 4.45mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 130 nC a 10 V |
| Longitud | 10.16mm |