Transistor MOSFET Canal N 130A 100V 5.6mohm Vgsth=4V TO220AB

Descripción del producto

 El IRFB4310PBF es un transistor MOSFET de canal N de tecnologia HEXFET de 100V diseñado especialmente para el diseño de fuentes de alimentación conmutadas y circuitos de alta frecuencia

 Características

Polaridad de Transistor: Canal N

Corriente de Drenaje Continua Id: 130A

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V

Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 5.6mohm

Tensión Vgs de Prueba Rds(on): 10V

Tensión Umbral Vgs: 4V

Disipación de Potencia Pd: 300W

Encapsulado del Transistor: TO220AB

Número de Pines: 3Pines

Temperatura de Funcionamiento Máx.: 175°C