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Detalles
Descripción del producto
El IRFB4227PBF es un transistor MOSFET de canal N de tecnologia HEXFET de 200V diseñado especialmente para el diseño de displays de plasma.
Características
Polaridad de Transistor: Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id: 65A
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 0.0197ohm
Tensión Vgs de Prueba Rds(on): 10V
Tensión Umbral Vgs: 5V
Disipación de Potencia Pd: 330W
Encapsulado del Transistor: TO220AB
Número de Pines: 3Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 175°C
Información adicional
| Ficha Técnica | IRFB4227PBF.pdf |
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Enlaces de Interés
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