Transistor MOSFET Canal N 11 A 30 V 13.8 mohm,Vgs=10 Vgsth=1,8V

Descripción del producto

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon

El IRF7807ZPBF es un MOSFET de canal N en tecnologia HEXFET que ofrece unas caracteristica excelentes. Es recomendado su uso en tarjetas gráficas y conversores POL.

Características

Polaridad de Transistor: Canal N

Corriente de Drenador Continua Id: 11A

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 0.0138ohm

Tensión Vgs de Prueba Rds(on): 10V

Tensión Umbral Vgs: 1.8V

Disipación de Potencia Pd: 2.5W

Encapsulado del Transistor: SOIC

Número de Pines: 8Pines

Temperatura de Funcionamiento Máx.: 150°C