Detalles
Descripción del producto
El IRF3808PBF es un transistor MOSFET de canal N con una resistencia extremadamente baja. Proporciona una temperatura de la unión de hasta 175ºC, con una resistencia térmica unión-carcasa muy baja, altra frecuencia de switcheo y un valor de avalancha repetitiva mejorado. Estas propiedades le permiten ser aplicado en una gran variedad de aplicaciones, entre las que se encuentran el control de motores.
Características
Polaridad de Transistor: Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id: 140A
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 75V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 0.007ohm
Tensión Vgs de Prueba Rds(on): 10V
Tensión Umbral Vgs: 4V
Disipación de Potencia Pd: 330W
Encapsulado del Transistor: TO-220AB
Número de Pines: 3Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 175°C