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Detalles
Número de Parte: STM4953
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 4.5 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 89 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 129 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.055 Ohm
Información adicional
| Ficha Técnica | STM4953.pdf |
|---|
Enlaces de Interés
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