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Detalles
Descripción del producto
Transistor MOSFET de canal P . Ha sido optimizado para funcionar con tensiones de puerta elevadas (-4.5 a -25V)
Características
Tipo de Canal P
Corriente Máxima Continua de Drenador -5,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente -30V
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 50m Ω
Tensión de umbral de puerta mínima -1.7V
Tipo de Encapsulado SOIC8
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima 2.5 W
Material del transistor Si
Temperatura de Funcionamiento -55 °C +175ºC
Información adicional
| Ficha Técnica | FDS9435A.pdf |
|---|
Enlaces de Interés
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