Atributo | Valor |
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Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 214 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 80 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 3,2 mΩ |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Tipo de Encapsulado | TO-220 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Modo de Canal | Mejora |
Categoría | MOSFET de potencia |
Disipación de Potencia Máxima | 255 W |
Material del transistor | Si |
Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 140 ns |
Altura | 15.1mm |
Dimensiones | 10.16 x 4.45 x 15.1mm |
Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 53 ns |
Serie | TK |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 9000 pF a 40 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Ancho | 4.45mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 130 nC a 10 V |
Longitud | 10.16mm |