Transistor MOSFET dual canal N 60V 3.5A SOIC8 FDS9945

Descripción del producto

Transistor MOSFET dual de canal N de 60V 3.5A . Ha sido optimizado para funcionar en conversores DC/DC controlados con PWM

Características

Tipo de Canal N

Numero de transistores por encapsulado: 2

Corriente Máxima Continua de Drenador 3.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente 60V

Resistencia Máxima Drenador-Fuente 75m Ω

Tensión de umbral de puerta mínima 2.5V

Tipo de Encapsulado SOIC8

Montaje superficial

Disipación de Potencia Máxima 2 W

Material del transistor Si

Temperatura de Funcionamiento -55 °C +175ºC