Detalles
Descripción del producto
Transistor MOSFET de canal N de alto voltaje. Estos transistores se utilizan en los conversores de potencia conmutados, en pantallas de TV planas y como balastro en sistemas de iluminación.
Características
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 6,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 600 V
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 1,25 Ω
Tensión de umbral de puerta mínima 3V
Tipo de Encapsulado TO-220F
Montaje en orificio pasante
Disipación de Potencia Máxima 33 W
Tiempo de Retardo de Apagado Típico 40 ns
Material del transistor Si
Tiempo de Retardo de Encendido Típico 17,5 ns
Temperatura de Funcionamiento -55 °C +150ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs 13 nC a 10 V
Serie UniFET
Capacitancia de Entrada Típica @Vds 550 pF a 25 V