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Detalles
Descripción del producto
Transistor MOSFET de canal N de tecnología TEMPFET con muy baja resistencia de conducción 0.2 Ohm (100V 10A) muy útil en aplicaciones de control de corriente conmutada.
Características
Vds=100V
Id=10A
Rds ON= 0.2Ohm
Encapsulado= TO-220AB
Información adicional
| Ficha Técnica | BTS110.pdf |
|---|
Enlaces de Interés
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