IGBT N-Canal 60A 1.000 V TO-264 3-Pines

Descripción del producto

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares.

Caracteristicas

Corriente Máxima Continua del Colector: 60 A

Tensión Máxima Colector-Emisor: 1.000 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V

Tipo de Encapsulado: TO-264

Tipo de Montaje: en orificio pasante

Tipo de Canal: N

Numero de Pines: 3

Dimensiones 20 x 5 x 26mm

Temperatura de Funcionamiento: -55 °C, +150 °C