Detalles
Descripción del producto
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Corriente Máxima Continua del Colector: 64 A
Tensión Máxima Colector-Emisor: 1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V
Tipo de Encapsulado: TO-264
Tipo de Montaje: orificio pasante
Tipo de Canal N
Nº Pines 3
Dimensiones: 20 x 5 x 26mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C