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Detalles
Characteristics of the BDT96 bipolar transistor
- Type - p-n-p
- Collector-Emitter Voltage: -100 V
- Collector-Base Voltage: -100 V
- Emitter-Base Voltage: -7 V
- Collector Current: -10 A
- Collector Dissipation - 90 W
- DC Current Gain (hfe) - 20 to 200
- Transition Frequency - 4 MHz
- Operating and Storage Junction Temperature Range -65 to +150 °C
- Package - TO-220
Enlaces de Interés
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